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Ge和In掺杂不仅优化了Seebeck系数，市辖而且显著提高了载流子浓度和电导率，有助于在宽温度范围内保持高功率因数。最终，区高4区这些协同效应使In、Ge掺杂SnSe纳米片获得了高宽温域热电性能，有助于拓展材料的应用。
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